品牌 | 其他品牌 | 貨號 | BFNC86063 |
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規格 | 10x100ul/50x100ul | 供貨周期 | 現貨 |
主要用途 | 僅用于科研 | 應用領域 | 醫療衛生,生物產業 |
Y190感受態細胞
產品規格CAT#: BFNC86063-01(10×100ul)/BFNC86063-02(50×100ul)
Y190 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個月)
pGADT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個月)
基因型
MATa, ura3-52, his3-200, ade2-101, lys2-801, trp1-901, leu2-3, 112, gal4Δ, gal80Δ, cyhr2, LYS2 : : GAL1
UAS-HIS3TATA-HIS3, MEL1 URA3 : : GAL1UAS-GAL1TATA-lacZ
產品說明
Y190菌株是Clontech公司開發的GAL4系統酵母雙雜實驗用菌株,MATa型,可直接轉化質粒或與MATα型酵母菌株Y187通過mating操作進行蛋白互作驗證或篩庫試驗。Transformation marker為: trp1,leu2,cyh2;報告基因為: lacZ,HIS3,MEL1。Y190-GAL4酵母雙雜系統需要兩種質粒配套使用:(pGB和pACT2)或(pGBKT7和pGADT7)。質粒pGB由pGBKT7改造而來,篩選標志為TRP1,用于表達DNA-BD(來自酵母轉錄因子GAL4N端1~ 174位氨基酸)與目標蛋白(Bait)的融合蛋白;質粒pACT2與pGADT7的結構和功能類似,篩選標志為LEU,用于表達AD(GAL4 C端768~881位氨基酸)與目標蛋白 (Prey)的融合蛋白。GAL4系統原理:一個完整的酵母轉錄因子GAL4可分為功能上相互獨立的兩個結構域:位于N端1~174位氨基酸區段的DNA結合域 (DNA-BD)和位于C端768~881位氨基酸區段的轉錄激活域(AD)。DNA-BD能夠識別GAL4-responsive gene的上游激活序列UAS,并與之結合。而AD可以啟動UAS下游的基因進行轉錄。BD和AD單獨存在不能激活轉錄,但當二者接近時,則呈現完整的GAL4活性,使含有UAS的啟動子下游基因轉錄表達。正常條件下,BD不與AD結合,將要檢測的蛋白質分別與BD和AD融合,形成 bait融合蛋白(bait –BD)和 prey融合蛋白 (prey-AD),如果 bait和 prey發生相互作用,就會促使 BD和 AD的相互接近,形成完整的GAL4,從而激活報告基因的轉錄。
青旗生物的Y190感受態細胞經特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pGADT7質粒檢測轉化效率>104 cfu/μg DNA。
操作方法
1. Carrier DNA 在每次使用前要通過加熱處理使其變性為單鏈狀態,步驟如下:Carrier DNA 放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min,再次放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min以上。
2. 取100 µl冰上融化的Y190感受態細胞,依次加入預冷的目的質粒0.5-3 µg,Carrier DNA10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時翻轉6-8次混勻)。
3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉6-8次混勻)。
4. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。
5. ddH2O 50 µl重懸,涂板,29℃培養48-96 h。
Y190感受態細胞
注意事項
1. 感受態細胞盡量在冰上融化。
2. 轉化高濃度的質??上鄳獪p少終用于涂板的菌量。
3. 同時轉化2-3種質粒時應增加質粒的用量。
4. Y190酵母菌株對高溫敏感,適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉化效率呈指數下降。
5. 菌落變粉不是污染,是酵母細胞生長中一個常見現象。當細胞在平板培養幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變為粉紅色。
6. 酵母在缺陷培養基中生長速度比YPDA培養基慢,培養基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養可見直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養可見直徑1 mm克隆。